0 0 0
  8. APT18M80B

Транзисторы с каналом N THT APT18M80B

 
APT18M80B
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429523
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
783.90 грн
2+
540.94 грн
3+
540.16 грн
6+
511.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм(1634371)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
POWER MOS 8®(1694308)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT18M80B
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429523
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
783.90 грн
2+
540.94 грн
3+
540.16 грн
6+
511.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
POWER MOS 8®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g