Производитель
MICROSEMI(934)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
36А(1478918)
Ток коллектора в импульсе
110А(1750629)
Время включения
29нс(1757696)
Время выключения
190нс(1606185)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
417Вт(1741960)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)