0 0 0
  8. APT30M85BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT30M85BVRG

 
APT30M85BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429567
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 300В; 40А; Idm: 160А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 207.29 грн
2+
832.67 грн
4+
787.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм(1441495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
195нC(1694861)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT30M85BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429567
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 300В; 40А; Idm: 160А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 207.29 грн
2+
832.67 грн
4+
787.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
195нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g