0 0 0
  8. APT33GF120LRDQ2G

Транзисторы IGBT THT APT33GF120LRDQ2G

 
APT33GF120LRDQ2G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418053
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 376.87 грн
2+
958.03 грн
3+
905.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO264(1492053)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
75А(1694309)
Время включения
31нс(1607628)
Время выключения
355нс(1814612)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
170нC(1479526)
Технология
NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT33GF120LRDQ2G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418053
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; TO264
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 376.87 грн
2+
958.03 грн
3+
905.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO264
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
75А
Время включения
31нс
Время выключения
355нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
357Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
170нC
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g