0 0 0
  8. APT43GA90BD30

Транзисторы IGBT THT APT43GA90BD30

 
APT43GA90BD30
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418068
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
859.68 грн
2+
595.04 грн
5+
562.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
43А(1738263)
Ток коллектора в импульсе
129А(1814624)
Время включения
28нс(1757663)
Время выключения
246нс(1814625)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
337Вт(1737072)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT APT43GA90BD30
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418068
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
859.68 грн
2+
595.04 грн
5+
562.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
900В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
43А
Ток коллектора в импульсе
129А
Время включения
28нс
Время выключения
246нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
337Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
116нC
Технология
POWER MOS 8®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g