Производитель
MICROSEMI(934)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
44А(1707683)
Ток коллектора в импульсе
130А(1764498)
Время включения
29нс(1757696)
Время выключения
208нс(1746886)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
337Вт(1737072)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
128нC(1742999)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) PT(1746896)