0 0 0
  7. APT70GR120J

Модули IGBT APT70GR120J

 
APT70GR120J
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425699
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 250.42 грн
2+
2 128.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
70А(1441697)
Ток коллектора в импульсе
280А(1621605)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
POWER MOS 8®(1694308) Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426) NPT(1714552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT APT70GR120J
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 425699
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 250.42 грн
2+
2 128.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
70А
Ток коллектора в импульсе
280А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
POWER MOS 8®
Технология
Ultra Fast NPT-IGBT®
Технология
NPT
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g