0 0 0
  7. APTGT100TL60T3G

Модули IGBT APTGT100TL60T3G

 
APTGT100TL60T3G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268742
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 763.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Корпус
SP3(1694445)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
100А(1441720)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Рассеиваемая мощность
340Вт(1741907)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Field Stop(1814742)
Топология
термистор NTC(1612513) 3-уровневый однофазный инвертор(1645701)
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g
 
Модули IGBT APTGT100TL60T3G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 268742
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 763.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Корпус
SP3
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Рассеиваемая мощность
340Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Field Stop
Топология
термистор NTC
Топология
3-уровневый однофазный инвертор
Дополнительная информация: Масса брутто: 110 g