0 0 0
  8. DN3135K1-G

Транзисторы с каналом N SMD DN3135K1-G

 
DN3135K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 075999
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.92 грн
5+
66.81 грн
16+
62.15 грн
25+
61.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 295 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
350В(1536802)
Сопротивление в открытом состоянии
35Ом(1441349)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обедненный(1536799)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,18А(1709870)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DN3135K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 075999
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.92 грн
5+
66.81 грн
16+
62.15 грн
25+
61.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 295 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
350В
Сопротивление в открытом состоянии
35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обедненный
Ток стока в импульсном режиме
0,18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g