0 0 0
  8. LND150K1-G

Транзисторы с каналом N SMD LND150K1-G

 
LND150K1-G
 
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077250
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.60 грн
5+
47.92 грн
24+
42.51 грн
25+
41.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY(632)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
13мА(1441353)
Сопротивление в открытом состоянии
1кОм(1536807)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обедненный(1536799)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,03А(1709873)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом N SMD LND150K1-G
MICROCHIP TECHNOLOGY
Артикул: 077250
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.60 грн
5+
47.92 грн
24+
42.51 грн
25+
41.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
13мА
Сопротивление в открытом состоянии
1кОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обедненный
Ток стока в импульсном режиме
0,03А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g