Транзисторы с каналом P SMD BUK6D120-60PX

 
BUK6D120-60PX
 
Артикул: 386979
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
10+
25.32 грн
25+
21.12 грн
80+
12.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020MD-6(1801473) SOT1220(1801474)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-5,1А(1492362)
Сопротивление в открытом состоянии
256мОм(1801461)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
15Вт(1449537)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BUK6D120-60PX
NEXPERIA
Артикул: 386979
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -32А; 15Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
10+
25.32 грн
25+
21.12 грн
80+
12.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020MD-6
Корпус
SOT1220
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-5,1А
Сопротивление в открытом состоянии
256мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g