0 0 0
  8. GAN063-650WSAQ

Транзисторы с каналом N THT GAN063-650WSAQ

 
GAN063-650WSAQ
 
NEXPERIA
Артикул: 386954
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 313.84 грн
2+
907.32 грн
3+
857.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138) SOT429(1440944)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
24,4А(1801378)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET(1670265)
Рассеиваемая мощность
143Вт(1741910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
GaN(1742486)
Вид транзистора
каскодный(1670264) HEMT(1880396)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,24 g
 
Транзисторы с каналом N THT GAN063-650WSAQ
NEXPERIA
Артикул: 386954
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 313.84 грн
2+
907.32 грн
3+
857.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Корпус
SOT429
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
24,4А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-JFET/N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
143Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Технология
GaN
Вид транзистора
каскодный
Вид транзистора
HEMT
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,24 g