0 0 0
  8. NSF080120L3A0Q

Транзисторы с каналом N THT NSF080120L3A0Q

 
NSF080120L3A0Q
 
NEXPERIA
Артикул: 965235
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 000.56 грн
2+
920.48 грн
3+
870.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
183Вт(1758557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нC(1479036)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...22В(1981580)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,236 g
 
Транзисторы с каналом N THT NSF080120L3A0Q
NEXPERIA
Артикул: 965235
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 000.56 грн
2+
920.48 грн
3+
870.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
183Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...22В
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,236 g