0 0 0
  8. PMV65XPEAR

Транзисторы с каналом P SMD PMV65XPEAR

 
PMV65XPEAR
 
NEXPERIA
Артикул: 386990
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -120мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
26.11 грн
50+
18.74 грн
85+
11.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1767 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262) TO236AB(1801352)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,8А(1492353)
Сопротивление в открытом состоянии
114мОм(1801469)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-120мА(1801468)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PMV65XPEAR
NEXPERIA
Артикул: 386990
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -120мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32.55 грн
10+
26.11 грн
50+
18.74 грн
85+
11.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1767 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Корпус
TO236AB
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
114мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-120мА
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g