0 0 0
  8. PSMN1R5-30YLC,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R5-30YLC,115

 
PSMN1R5-30YLC,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600465
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 200А; Idm: 1016А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.75 грн
5+
85.01 грн
15+
66.66 грн
41+
63.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
200А(1441529)
Сопротивление в открытом состоянии
1,65мОм(1479608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1016А(1933322)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R5-30YLC,115
NEXPERIA
Артикул: 600465
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 200А; Idm: 1016А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.75 грн
5+
85.01 грн
15+
66.66 грн
41+
63.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
200А
Сопротивление в открытом состоянии
1,65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1016А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g