0 0 0
  8. PSMN2R0-100SSFJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R0-100SSFJ

 
PSMN2R0-100SSFJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778583
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 189А; Idm: 1070А; 341Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
504.67 грн
3+
366.33 грн
8+
346.24 грн
500+
336.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
189А(1826077)
Сопротивление в открытом состоянии
4,8мОм(1479248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
341Вт(1741911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
242нC(1926638)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1070А(1959993)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R0-100SSFJ
NEXPERIA
Артикул: 778583
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 189А; Idm: 1070А; 341Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
504.67 грн
3+
366.33 грн
8+
346.24 грн
500+
336.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
189А
Сопротивление в открытом состоянии
4,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
341Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
242нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1070А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g