0 0 0
  8. PSMN2R0-30PL,127

Транзисторы с каналом N THT PSMN2R0-30PL,127

 
PSMN2R0-30PL,127
 
NEXPERIA
Артикул: 079889
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 211Вт; SOT78,TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
179.48 грн
3+
162.80 грн
8+
128.65 грн
22+
121.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140) SOT78(1801481)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм(1479566)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
211Вт(1742103)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
117нC(1633666)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,01 g
 
Транзисторы с каналом N THT PSMN2R0-30PL,127
NEXPERIA
Артикул: 079889
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 211Вт; SOT78,TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
179.48 грн
3+
162.80 грн
8+
128.65 грн
22+
121.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Корпус
SOT78
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
211Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
117нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,01 g