0 0 0
  8. PSMN4R0-40YS,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R0-40YS,115

 
PSMN4R0-40YS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 077349
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; Idm: 472А; 106Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.71 грн
5+
55.57 грн
19+
53.98 грн
25+
50.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1168 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
83А(1479452)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
106Вт(1520842)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
472А(1823318)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,125 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R0-40YS,115
NEXPERIA
Артикул: 077349
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; Idm: 472А; 106Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.71 грн
5+
55.57 грн
19+
53.98 грн
25+
50.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1168 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
83А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
106Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
472А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,125 g