0 0 0
  8. PSMN5R6-100BS,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN5R6-100BS,118

 
PSMN5R6-100BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 539А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.38 грн
5+
206.99 грн
7+
164.57 грн
17+
155.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
13,22мОм(1933278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
306Вт(1741817)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
141нC(1695264)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
539А(1933277)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN5R6-100BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 539А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.38 грн
5+
206.99 грн
7+
164.57 грн
17+
155.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
13,22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
306Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
141нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
539А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g