0 0 0
  7. ADP3120AJRZ-RL

Драйверы MOSFET/IGBT ADP3120AJRZ-RL

 
ADP3120AJRZ-RL
 
ONSEMI
Артикул: 481373
IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.28 грн
5+
42.20 грн
25+
37.40 грн
33+
30.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1831 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-20...150°C(1820263)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
4,6...13,2В DC(1843817)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
20нс(1444014)
Время падения импульса
11нс(1802365)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от перегрева(1454716) от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Класс напряжения
35В(1843818)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT ADP3120AJRZ-RL
ONSEMI
Артикул: 481373
IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.28 грн
5+
42.20 грн
25+
37.40 грн
33+
30.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1831 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-20...150°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
4,6...13,2В DC
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
20нс
Время падения импульса
11нс
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от перегрева
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Класс напряжения
35В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g