0 0 0
  7. ECH8695R-TL-W

Транзисторы многоканальные ECH8695R-TL-W

 
ECH8695R-TL-W
 
ONSEMI
Артикул: 478190
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
42.61 грн
25+
36.74 грн
36+
28.09 грн
99+
26.50 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2216 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ECH8(1805279)
Конструкция диода
общий сток(1609794)
Напряжение сток-исток
24В(1479606)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
9,1мОм(1479222)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
контроль зарядки аккумулятора(1528580)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g
 
Транзисторы многоканальные ECH8695R-TL-W
ONSEMI
Артикул: 478190
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 24В; 11А; Idm: 60А; 1,4Вт; ECH8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
42.61 грн
25+
36.74 грн
36+
28.09 грн
99+
26.50 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2216 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ECH8
Конструкция диода
общий сток
Напряжение сток-исток
24В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
9,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
контроль зарядки аккумулятора
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g