0 0 0
  7. EMC2DXV5T1G

Комплементарные пары транзисторов EMC2DXV5T1G

 
EMC2DXV5T1G
 
ONSEMI
Артикул: 682404
Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,357Вт; SOT553
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.99 грн
25+
8.99 грн
100+
7.89 грн
150+
6.86 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT553(1501671)
Конструкция диода
common base-collector(1752064)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
60...100(1851349)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN / PNP(1548834)
Рассеиваемая мощность
0,357Вт(1898246)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
22кОм(1645077)
резистор эмиттер - база
22кОм(1645078)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Комплементарные пары транзисторов EMC2DXV5T1G
ONSEMI
Артикул: 682404
Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,357Вт; SOT553
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.99 грн
25+
8.99 грн
100+
7.89 грн
150+
6.86 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT553
Конструкция диода
common base-collector
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
60...100
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN / PNP
Рассеиваемая мощность
0,357Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
22кОм
резистор эмиттер - база
22кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g