0 0 0
  8. FCMT299N60

Транзисторы с каналом N SMD FCMT299N60

 
FCMT299N60
 
ONSEMI
Артикул: 524510
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,9А; Idm: 36А; 125Вт; Power88
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.21 грн
5+
155.73 грн
8+
123.95 грн
22+
116.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power88(1888067)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7,9А(1634358)
Сопротивление в открытом состоянии
0,299Ом(1790180)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FCMT299N60
ONSEMI
Артикул: 524510
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,9А; Idm: 36А; 125Вт; Power88
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.21 грн
5+
155.73 грн
8+
123.95 грн
22+
116.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power88
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,299Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
51нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g