0 0 0
  8. FDB2532

Транзисторы с каналом N SMD FDB2532

 
FDB2532
 
ONSEMI
Артикул: 076012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
286.20 грн
5+
202.99 грн
14+
192.10 грн
800+
190.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 406 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
82нC(1479300)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,792 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB2532
ONSEMI
Артикул: 076012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
286.20 грн
5+
202.99 грн
14+
192.10 грн
800+
190.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 406 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
82нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,792 g