Транзисторы с каналом N SMD FDB5800

 
FDB5800
 
Артикул: 076022
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.46 грн
5+
180.94 грн
7+
159.97 грн
17+
150.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм(1479443)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
242Вт(1740750)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
135нC(1632961)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,585 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB5800
ONSEMI
Артикул: 076022
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.46 грн
5+
180.94 грн
7+
159.97 грн
17+
150.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
12,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
242Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
135нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,585 g