0 0 0
  8. FDB86102LZ

Транзисторы с каналом N SMD FDB86102LZ

 
FDB86102LZ
 
ONSEMI
Артикул: 524515
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 50А; 3,1Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.21 грн
5+
104.08 грн
12+
82.63 грн
33+
77.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
UniFET™(1632958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB86102LZ
ONSEMI
Артикул: 524515
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 50А; 3,1Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.21 грн
5+
104.08 грн
12+
82.63 грн
33+
77.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
UniFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g