0 0 0
  7. FDC6301N

Транзисторы многоканальные FDC6301N

 
FDC6301N
 
ONSEMI
Артикул: 000219
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.65 грн
25+
13.95 грн
89+
10.76 грн
245+
10.17 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1422 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-6(1492564)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
0,22А(1632940)
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,7нC(1632950)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
±0,5В(1979994)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные FDC6301N
ONSEMI
Артикул: 000219
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.65 грн
25+
13.95 грн
89+
10.76 грн
245+
10.17 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1422 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-6
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
0,22А
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,7нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
±0,5В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g