0 0 0
  8. FDD8796

Транзисторы с каналом N SMD FDD8796

 
FDD8796
 
ONSEMI
Артикул: 532671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 98А; Idm: 305А; 88Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.30 грн
5+
42.45 грн
25+
37.47 грн
31+
32.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
98А(1479489)
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
52нC(1479036)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
305А(1898267)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDD8796
ONSEMI
Артикул: 532671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 98А; Idm: 305А; 88Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.30 грн
5+
42.45 грн
25+
37.47 грн
31+
32.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
98А
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
88Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
52нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
305А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g