Транзисторы многоканальные FDG1024NZ

 
FDG1024NZ
 
Артикул: 000231
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,2А; 0,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.89 грн
25+
23.63 грн
47+
20.46 грн
129+
19.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
389мОм(1713738)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,6нC(1479095)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы многоканальные FDG1024NZ
ONSEMI
Артикул: 000231
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,2А; 0,36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.89 грн
25+
23.63 грн
47+
20.46 грн
129+
19.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
389мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,6нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g