0 0 0
  7. FDG6304P

Транзисторы многоканальные FDG6304P

 
FDG6304P
 
ONSEMI
Артикул: 000233
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -25В; -0,41А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
26.04 грн
25+
22.24 грн
63+
15.34 грн
172+
14.49 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
-25В(1492223)
Ток стока
-0,41А(1643505)
Сопротивление в открытом состоянии
1,9Ом(1441363)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,5нC(1632943)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы многоканальные FDG6304P
ONSEMI
Артикул: 000233
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -25В; -0,41А; 0,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
26.04 грн
25+
22.24 грн
63+
15.34 грн
172+
14.49 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 1400 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
-25В
Ток стока
-0,41А
Сопротивление в открытом состоянии
1,9Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,5нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g