Транзисторы с каналом N THT FDH3632

 
FDH3632
 
Артикул: 532727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 800мА; 310Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
348.00 грн
3+
312.25 грн
5+
239.95 грн
12+
227.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,8А(1635013)
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDH3632
ONSEMI
Артикул: 532727
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 800мА; 310Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
348.00 грн
3+
312.25 грн
5+
239.95 грн
12+
227.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,8А
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g