0 0 0
  7. FDMA6023PZT

Транзисторы многоканальные FDMA6023PZT

 
FDMA6023PZT
 
ONSEMI
Артикул: 000243
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.65 грн
5+
41.24 грн
25+
37.36 грн
31+
32.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 338 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MicroFET(1632937)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы многоканальные FDMA6023PZT
ONSEMI
Артикул: 000243
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.65 грн
5+
41.24 грн
25+
37.36 грн
31+
32.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 338 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
MicroFET
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g