0 0 0
  7. FDMD82100L

Транзисторы многоканальные FDMD82100L

 
FDMD82100L
 
ONSEMI
Артикул: 565127
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.52 грн
5+
140.63 грн
9+
119.97 грн
24+
113.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN12(1930648)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
38Вт(1449556)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные FDMD82100L
ONSEMI
Артикул: 565127
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
156.52 грн
5+
140.63 грн
9+
119.97 грн
24+
113.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN12
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g