0 0 0
  8. FDMS10C4D2N

Транзисторы с каналом N SMD FDMS10C4D2N

 
FDMS10C4D2N
 
ONSEMI
Артикул: 532693
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 48А; Idm: 510А; 125Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
207.97 грн
8+
129.88 грн
22+
122.71 грн
500+
117.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
48А(1441568)
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
510А(1898286)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS10C4D2N
ONSEMI
Артикул: 532693
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 48А; Idm: 510А; 125Вт; Power56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
207.97 грн
8+
129.88 грн
22+
122.71 грн
500+
117.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
48А
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
510А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g