0 0 0
  8. FDN360P

Транзисторы с каналом P SMD FDN360P

 
FDN360P
 
ONSEMI
Артикул: 140678
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
27.72 грн
25+
18.45 грн
80+
12.56 грн
215+
11.88 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 4474 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2А(1492324)
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм(1636392)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FDN360P
ONSEMI
Артикул: 140678
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
27.72 грн
25+
18.45 грн
80+
12.56 грн
215+
11.88 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 4474 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2А
Сопротивление в открытом состоянии
136мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
9нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g