0 0 0
  8. FDP038AN06A0

Транзисторы с каналом N THT FDP038AN06A0

 
FDP038AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 390064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
273.88 грн
3+
246.34 грн
6+
195.97 грн
15+
184.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 76 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,003 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP038AN06A0
ONSEMI
Артикул: 390064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
273.88 грн
3+
246.34 грн
6+
195.97 грн
15+
184.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 76 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,003 g