0 0 0
  8. FDP047AN08A0

Транзисторы с каналом N THT FDP047AN08A0

 
FDP047AN08A0
 
ONSEMI
Артикул: 390065
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.83 грн
3+
216.43 грн
6+
170.78 грн
17+
161.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 15 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,945 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP047AN08A0
ONSEMI
Артикул: 390065
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.83 грн
3+
216.43 грн
6+
170.78 грн
17+
161.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 15 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,945 g