0 0 0
  8. FDP22N50N

Транзисторы с каналом N THT FDP22N50N

 
FDP22N50N
 
ONSEMI
Артикул: 078126
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.07 грн
6+
191.39 грн
15+
181.07 грн
250+
173.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 46 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
13,2А(1633319)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
312,5Вт(1742127)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
UniFET™(1632958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDP22N50N
ONSEMI
Артикул: 078126
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.07 грн
6+
191.39 грн
15+
181.07 грн
250+
173.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 46 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
13,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
312,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нC
Технология
UniFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g