0 0 0
  8. FDS2670

Транзисторы с каналом N SMD FDS2670

 
FDS2670
 
ONSEMI
Артикул: 524552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
114.97 грн
5+
103.87 грн
12+
82.46 грн
33+
77.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
275мОм(1628413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS2670
ONSEMI
Артикул: 524552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
114.97 грн
5+
103.87 грн
12+
82.46 грн
33+
77.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
275мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
43нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g