Транзисторы многоканальные FDS8958B

 
FDS8958B
 
Артикул: 389896
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.67 грн
5+
35.22 грн
25+
31.08 грн
37+
26.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
6,4/-4,5А(1805231)
Сопротивление в открытом состоянии
39/72мОм(1805232)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDS8958B
ONSEMI
Артикул: 389896
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
83.67 грн
5+
35.22 грн
25+
31.08 грн
37+
26.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
6,4/-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
39/72мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g