0 0 0
  7. FDS9933A

Транзисторы многоканальные FDS9933A

 
FDS9933A
 
ONSEMI
Артикул: 943076
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.45 грн
5+
57.13 грн
24+
43.64 грн
64+
41.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,8А(1492294)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные FDS9933A
ONSEMI
Артикул: 943076
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.45 грн
5+
57.13 грн
24+
43.64 грн
64+
41.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g