0 0 0
  8. FGH40T120SMD

Транзисторы IGBT THT FGH40T120SMD

 
FGH40T120SMD
 
ONSEMI
Артикул: 896654
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
772.37 грн
2+
533.43 грн
6+
504.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±25В(1628598)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
160А(1694411)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,37мкC(1950542)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,965 g
 
Транзисторы IGBT THT FGH40T120SMD
ONSEMI
Артикул: 896654
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
772.37 грн
2+
533.43 грн
6+
504.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±25В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
160А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
277Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,37мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,965 g