0 0 0
  8. FQA70N10

Транзисторы с каналом N THT FQA70N10

 
FQA70N10
 
ONSEMI
Артикул: 078146
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.29 грн
3+
195.36 грн
7+
149.62 грн
18+
141.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 120 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
49,5А(1634344)
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
214Вт(1741760)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,165 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQA70N10
ONSEMI
Артикул: 078146
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.29 грн
3+
195.36 грн
7+
149.62 грн
18+
141.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 120 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
49,5А
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
214Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
11нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,165 g