0 0 0
  8. FQA8N100C

Транзисторы с каналом N THT FQA8N100C

 
FQA8N100C
 
ONSEMI
Артикул: 390081
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 5А; 225Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.39 грн
3+
362.43 грн
4+
277.42 грн
10+
261.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом(1617606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
225Вт(1701919)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQA8N100C
ONSEMI
Артикул: 390081
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 5А; 225Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.39 грн
3+
362.43 грн
4+
277.42 грн
10+
261.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
225Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g