0 0 0
  8. FQB8P10TM

Транзисторы с каналом P SMD FQB8P10TM

 
FQB8P10TM
 
ONSEMI
Артикул: 526659
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.99 грн
5+
74.15 грн
17+
59.17 грн
47+
56.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-5,7А(1588745)
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм(1634371)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQB8P10TM
ONSEMI
Артикул: 526659
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,7А; Idm: -32А; 65Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.99 грн
5+
74.15 грн
17+
59.17 грн
47+
56.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-5,7А
Сопротивление в открытом состоянии
530мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g