Транзисторы с каналом P SMD FQD17P06TM

 
FQD17P06TM
 
Артикул: 947646
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.39 грн
5+
55.65 грн
24+
42.81 грн
64+
40.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3548 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-7,6А(1643133)
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм(1628418)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
44Вт(1596017)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
QFET®(1600689)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,391 g
 
Транзисторы с каналом P SMD FQD17P06TM
ONSEMI
Артикул: 947646
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.39 грн
5+
55.65 грн
24+
42.81 грн
64+
40.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3548 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
44Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
QFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,391 g