0 0 0
  8. FQPF6N80T

Транзисторы с каналом N THT FQPF6N80T

 
FQPF6N80T
 
ONSEMI
Артикул: 524927
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,1А; Idm: 13,2А; 51Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.96 грн
3+
143.86 грн
9+
114.45 грн
24+
108.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
2,1А(1479110)
Сопротивление в открытом состоянии
1,95Ом(1502525)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
51Вт(1741968)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
13,2А(1888038)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FQPF6N80T
ONSEMI
Артикул: 524927
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,1А; Idm: 13,2А; 51Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.96 грн
3+
143.86 грн
9+
114.45 грн
24+
108.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
2,1А
Сопротивление в открытом состоянии
1,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
51Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
31нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
13,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g