0 0 0
  8. MMUN2211LT1G

Транзисторы NPN SMD MMUN2211LT1G

 
MMUN2211LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 219422
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,246Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.43 грн
100+
1.87 грн
500+
1.49 грн
750+
1.35 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 7024 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
35...60(1752063)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,246Вт(1898258)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10кОм(1645075)
резистор эмиттер - база
10кОм(1645076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы NPN SMD MMUN2211LT1G
ONSEMI
Артикул: 219422
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,246Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.43 грн
100+
1.87 грн
500+
1.49 грн
750+
1.35 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 7024 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
35...60
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,246Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10кОм
резистор эмиттер - база
10кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g