0 0 0
  8. MUN5214DW1T1G

Транзисторы NPN SMD MUN5214DW1T1G

 
MUN5214DW1T1G
 
ONSEMI
Артикул: 671605
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,25Вт; R1: 10кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.42 грн
100+
3.09 грн
430+
2.37 грн
1175+
2.24 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 1670 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
80...140(1851347)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN x2(1492069)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10кОм(1645075)
резистор эмиттер - база
47кОм(1645074)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы NPN SMD MUN5214DW1T1G
ONSEMI
Артикул: 671605
Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,25Вт; R1: 10кОм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.42 грн
100+
3.09 грн
430+
2.37 грн
1175+
2.24 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 1670 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
80...140
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10кОм
резистор эмиттер - база
47кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g