0 0 0
  8. NTD5802NT4G

Транзисторы с каналом N SMD NTD5802NT4G

 
NTD5802NT4G
 
ONSEMI
Артикул: 542224
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12,7А; Idm: 300А; 2,5Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.67 грн
5+
94.55 грн
14+
76.17 грн
36+
72.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
12,7А(1492301)
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм(1441608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
75нC(1479015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NTD5802NT4G
ONSEMI
Артикул: 542224
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12,7А; Idm: 300А; 2,5Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.67 грн
5+
94.55 грн
14+
76.17 грн
36+
72.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
12,7А
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
75нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g